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정보 바로가기 : TI, 우주 등급 200V GaN 게이트 드라이버 출시

TI, 우주 등급 200V GaN 게이트 드라이버 출시
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텍사스 인스트루먼트가 방사능 내성과 경화 기능을 갖춘 하프 브리지 질화 갈륨 전계 효과 트랜지스터 게이트 드라이버 신제품군을 발표했다. 이 신제품군에는 업계 최초로 최대 200V 작동을 지원하는 우주 등급 GaN FET...



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